Nombre del producto/Nombre en inglés : Carbonato de guanidina

CAS : 593-85-1

Fórmula molecular : C ₂ H ₁₀ N ₆ H ₂ CO ₃

Fórmula estructural :

Introducción del producto:

El carbonato de guanidina es una materia prima sintética orgánica extremadamente versátil y un reactivo analítico, utilizado principalmente como regulador de pH, antioxidante, estabilizador de resinas y jabón para resinas amínicas. También se utiliza como aditivo para lechadas de cemento y tensioactivos. También se puede utilizar como agente resistente a la humedad y sinérgico para detergentes, materias primas cosméticas, etc.

Campo de aplicación del carbonato de guanidina

Con el desarrollo del proceso CMOS, el tamaño de las características de los dispositivos se reduce gradualmente y la densidad del circuito se vuelve más compleja, lo que dificulta el diseño y la fabricación. La congestión de la señal en el proceso de interconexión se intensifica aún más. Para continuar con la ley de Moore, resolver el problema de retraso de la interconexión de cobre y cumplir con los requisitos de rendimiento, ancho de banda y consumo de energía, la tecnología de integración de IC 3D se ha desarrollado gradualmente. Al apilar chips verticalmente y pasar a través de circuitos activos para lograr una interconexión eficiente, la longitud de las líneas de interconexión se acorta considerablemente, lo que no solo mejora el rendimiento del circuito sino que también reduce aún más el consumo de energía. La tecnología TSV utiliza un proceso de pulido mecánico químico para eliminar el cobre metálico. La integración del proceso TSV enfrenta un desafío común, que es que la producción de TSV requiere la penetración de diferentes capas de materiales, incluidos materiales de silicio y varias capas de película delgada aislantes o conductoras en circuitos integrados. Para mejorar la economía de la tecnología de integración 3D, es necesario tener una tasa de eliminación alta y una proporción de selección de pulido adecuada en el proceso de pulido mecánico químico. Actualmente, no hay productos comerciales informados para el fluido de pulido mecánico químico especializado para la tecnología TSV, especialmente para el fluido de pulido de la capa de barrera TSV. Para mejorar la economía de la tecnología de integración 3D, es necesario tener una tasa de eliminación alta y una proporción de selección de pulido adecuada en el proceso de pulido mecánico químico. Actualmente, no hay productos comerciales informados para el fluido de pulido mecánico químico especializado para la tecnología TSV, especialmente para el fluido de pulido de la capa de barrera TSV. Para mejorar la economía de la tecnología de integración 3D, es necesario tener una tasa de eliminación alta y una proporción de selección de pulido adecuada en el proceso de pulido mecánico químico. Actualmente, no hay productos comerciales informados para el fluido de pulido mecánico químico especializado para la tecnología TSV, especialmente para el fluido de pulido de la capa de barrera TSV.

La patente CN103834306B ha desarrollado un fluido de pulido mecánico químico para la planarización de orificios pasantes de silicio, que resuelve el problema técnico de cumplir con los requisitos del proceso de seleccionar una tasa de eliminación relativamente alta de dióxido de silicio en nitruro de silicio durante el proceso de planarización de orificios pasantes de silicio, evitando corrosión durante el proceso de pulido de metales y reduciendo los defectos superficiales y los contaminantes en la oblea pulida.

El fluido de pulido mecánico químico de la patente consta principalmente de seis partes: abrasivos, compuestos de imidazol, agentes complejantes, tensioactivos aniónicos, guanidina y oxidantes. Entre ellos, el tensioactivo aniónico es un tensioactivo de fosfato de alquilo, y la guanidina puede ser uno o más de nitrato de guanidina, sulfato de guanidina, fosfato de guanidina, carbonato de guanidina, cloruro de guanidinio, clorhidrato de metformina y clorhidrato de moroxidina.

Referencias

CN103834306B Un líquido de pulido mecánico químico para aplanar orificios pasantes de silicio .